Не прибедняйтесь, в грамотности Вам не откажешь

, но вспомнить то, чему учили когда-то очень давно, бывает полезно.
Как Вы знаете, идеальных элементов не бывает: любая емкость обладает собственной (паразитной) индуктивностью, а индуктивность - емкостью. При низких частотах, или длинноимпульсных возбуждениях, они не влияют на величину и характер реактивного сопротивления элемента, но на высоких частотах (короткоимпульсные воздействия), характер паразитного сопротивления может иметь доминирующию роль. Границей применимости понятия сосредоточенных параметров может служить соотношение геометрических размеров элемента с длинной электромагнитной волны, возбуждаемой в этом элементе. Поэтому и вводятся понятия погонной индуктивности (однородной и неоднородной), дифференциальной индуктивности (когда нужно учесть "электромагнитную предысторию возбуждения"), распределенной индуктивности (когда на высоких частотах ток не во всех участках последовательно соединенной цепи имеет одинаковое значение, т.е нельзя сказать, в каком участке цепи находится (сосредоточена) эта индуктивность). Для понимания этого, можно привести такой пример. Ток высокой частоты, пропущеный через катушку индуктивности, будет течь не только по виткам, но и в виде токов смещения между витками через диэлектрик. Таким образом, отношение магнитного потока к току, создающему этот поток, будет иным, чем в магнитостатике, а соответственно и индуктивность.
Возможно не совсем точно и несколько смазано, но где-то так, в моем понимании, опираясь на остаточные знания